模仿电路设计系列讲座十二：三极管高频等效模型

　　上一节要点介绍了三极管的低频等效模型－“hybrid－pi”模型，低频等效模型实际上并不完善，由于这一模型没有一点带宽的约束，只适用于低频运转下的近似剖析。这一节咱们将进一步考虑给三极管带来带宽限值的寄生参数，从而对hybrid－pi低频等效模型进行完善。

　　咱们知道任何的PN结都会存在结电容，因而咱们咱们能够预见到三极管的base－emitter和base－collector都存在着结电容，这些结电容会跟着PN结之间的电压而改变。

　　别的由前面章节咱们咱们都知道三极管base－emitter之间存储的电荷会跟着Vbe之间的偏置电压的改变而改变，Vbe添加，Base存储的电荷就会增多，base－emitter之间存储电荷的改变能够等效成结电容的改变。

　　那么咱们怎样从标准书中得到CΠ和Cμ那？Cμ相对简略，它便是base－collector之间的结电容。咱们先要知道base－collector之间的结电压，然后依据结电容与结电压之间的曲线决议出Cμ。

　　CΠ相对杂乱，咱们应该直接得到CΠ。一般来说，三极管的标准书中会给出电流增益－带宽曲线图，从此图中咱们也能够得出电流增益为1的频率点ωT。