据日本《日刊工业新闻》报导，一家由东芝、NEC电子等11家日本半导体生产商一起出资树立的高技能企业半导体尖端技能公司，近来成功开宣布一种电子模型，该模型可被使用于猜测互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管的特性改变。
鄙人一代半导体的研发与开发过程中，一般都会使用到一种叫浅沟道阻隔（STI）的技能，这种技能被用于分隔大规模集成电路中CMOS晶体管的相邻元件。而使用新开发的这种模型，能够在进行STI工序时猜测所发生的应力引起的晶体管的特性改变，从而使对相邻元件间间隔的核算愈加准确，不用像曩昔进行半导体设计时那样考虑过多的冗余。据该公司称，这项创造能够将大规模集成电路的功能最大进步20%，并将被日本生产商使用于下一代大规模集成电路的开发。
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